高考必做大题03:带电粒子与复合场

试卷更新日期:2021-04-23 类型:三轮冲刺

一、综合题

  • 1. 如图所示,大量的同种粒子从静止经电压 U1 加速后。沿虚线方向射入正交的电磁场之中,恰好做直线运动,电场强度方向竖直向下,磁感应强度 B1=0.2T 。方向垂直纸面向里,两平行板之间的距离 d=6cm 。平行板右侧有一圆形磁场区域,圆心O在虚线上、半径 r=10cm ,圆内有垂直纸面向里的磁场B,B的大小可以调控。边界上有磁场。圆形区域的上方安装有荧光屏,荧光屏与虚线平行。与O的距离 l=203cm ,M、N是荧光屏上两点, MO 连线与屏垂直,N到M点之间的距离 L=20cm 。已知加在平行板间的电压 U2=1.2×104V ,粒子的比荷为 qm=108C/kg 。不计重力的影响,求:

    (1)、加速电场 U1 大小;
    (2)、要使粒子打到荧光屏上 MN 之间,圆形区域内的磁场B范围。
  • 2. 如图,在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和Ⅱ,两电场的边界均是边长为L的正方形,图中OEFG区域也为边长为L的正方形且无电场。已知电子的质量为m,电荷量为e,不计电子所受重力。求:

    (1)、在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置坐标(x,y);
    (2)、在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置坐标x、y间满足的关系;
    (3)、若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动 L3 ,仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置x、y满足的关系。
  • 3. 如图所示,一水平分界线 KL 把足够长的竖直边界 NSMT 之间的空间分为上下两部分, KL 上方区域存在竖直向下的匀强电场, KL 下方区域存在垂直纸面向外的匀强磁场。在 NSMT 边界上,距 KLh 处分别有P、Q两点。一电荷量为 q 、质量为 m 的带正电的粒子(重力不计)以初速度 v0P 点垂直于边界 NS 进入匀强电场,经偏转后从边界 KL 进入匀强磁场,并恰好不从边界 NS 射出。若匀强电场的电场强度 E=mv026qh

    (1)、求粒子刚进入磁场时的速度 v
    (2)、求匀强磁场的磁感应强度 B
    (3)、调节 NSMT 两边界间的距离,使粒子恰好从 Q 点离开 MT 边界,求粒子从 P 点进入电场到 Q 点离开 MT 边界运动时间 t 的可能值。
  • 4. 在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图,是离子注入工作原理示意图,离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注入处在水平面上的晶圆(硅片)。速度选择器、磁分析器和偏转系统中匀强磁场的磁感应强度大小均为B。方向均垂直纸向外;速度选择器和偏转系统中匀强电场的电场强度大小均为E,方向分别为竖直向上和直纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆弧,其两端中心位置M和N处各有一小孔;偏转系统中电场和磁场的分布区域是一棱长为L的正方体,晶圆放置在偏转系统底面处。当偏转系统不加电场和磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点,O点也是偏转系统底面的中心。以O点为原点建立xOy坐标系,x轴垂纸面向外。整个系统于真空中,不计离子重力,经过偏转系统直接打在晶圆上的离子偏转的角度都很小。已知当 α 很小时,满足: sinααcosα112α2

    (1)、求离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出的离子的比荷;
    (2)、当偏转系统仅加电场时,求离子注入到晶圆上的位置坐标(x1 , y1);
    (3)、当偏转系统仅加磁场时,设离子注入到晶圆上的位置坐标为(x2 , y2),请利用题设条件证明:y2=x1
    (4)、当偏转系统同时加上电场和磁场时,求离子注入到品圆上的位置坐标(x3 , y3),并简要说明理由。
  • 5. 如图甲所示,真空中有一粒子源,连续不断地放射出带正电的粒子。粒子的初速度很小(可视为零)。粒子经加速电压U1加速后,从O点沿着偏转电场中线OM射入偏转电场,两偏转极板间的距离为L,所加周期性电压Uab如图乙所示。偏转极板右侧有宽度为L的足够长匀强磁场区域,磁场方向垂直纸面向外。磁场右边界是一个足够大的光屏,所有到达光屏的粒子均不再反弹。粒子飞过偏转极板间的时间极短,可认为每个粒子飞过的这段时间里偏转电压几乎不变。已知 t=0 时刻射入偏转极板间的粒子,轨迹恰好与光屏相切;偏转电压为2U1时射入偏转极板间的粒子恰好沿着偏转极板上边缘飞出电场。不计粒子重力及粒子之间的相互作用力。求:

    (1)、偏转极板的长度;
    (2)、磁场右侧光屏上有粒子击中的范围的长度。
  • 6. 如图甲所示,真空室中电极K发出的电子(初速度不计)经电场加速后,由小孔S沿两平行金属板M、N的中心线 OO' 射入板间,加速电压为 U0 ,M、N板长为L,两板相距 33L 。加在M、N两板间电压u随时间t变化的关系图线如图乙所示,图中 U1 未知,M、N板间的电场可看成匀强电场,忽略板外空间的电场在每个粒子通过电场区域的极短时间内,两板电压可视作不变板M、N右侧距板右端 2L 处放置一足够大的荧光屏PQ,屏与 OO' 垂直,交点为 O' 在M、N板右侧与PQ之间存在一范围足够大的有界匀强磁场区,PQ为匀强磁场的右边界,磁场方向与纸面垂直。已知电子的质量为m,电荷量为e。

    (1)、求电子加速至O点的速度大小 v0
    (2)、若所有电子都能从M、N金属板间射出,求 U1 的最大值;
    (3)、调整磁场的左边界和磁感应强度大小B,使从M板右侧边缘射出电场的电子,经磁场偏转后能到达 O' 点,求磁感应强度的最大值 Bm
  • 7. 如图所示,O为正交坐标系xOy的原点,y≥0的空间存在匀强磁场,磁感应强度大小为B,方向垂直xOy平面向里。一粒子质量为m,带正电q,从O点以大小为v0的速度进入x≥0且y≥0的空间(即图中的θ满足0≤θ≤90°),v0垂直于磁场,不计粒子的重力。求:

    (1)、粒子在磁场中运动的半径R;
    (2)、粒子可以沿两条不同的路径到达坐标系第二象限的某一位置P(图中未画出),且长路径耗时是短路径耗时的两倍,求P到坐标原点的距离d;
    (3)、若y≤0的空间存在电场,电场强度为E,方向沿+y方向,求粒子只经过一次电场就能回到O点对应的θ的值(可用三角函数表示)。
  • 8. 如图所示,在直角坐标Oxy平面的第一象限内存在着沿+x方向的有界匀强电场I,其边界由曲线AB和坐标轴围成;在第二象限存在沿+y轴方向匀强电场II;已知从电场I边界曲线AB上静止释放的电子都能从x轴上的P点离开电场II,P点在(-L,0)处,两电场强度大小均为E,电子电荷量为-e。求:

    (1)、电场I边界曲线AB满足的方程;
    (2)、从曲线AB上静止释放的电子离开电场II时的最小动能。
  • 9. 水平地面上方竖直边界MN右侧离地面h=3m处有长为L=0.91m的光滑水平绝缘平台,平台的左边缘与MN重合,此时平台上方存在 E1=22 N/C的匀强电场,电场方向与水平方向成θ角,指向左下方。平台右边缘有一质量m=0.1kg、电量q=0.1C的带正电小球,以初速度v0=0.6m/s向左运动。小球在平台上运动的过程中,θ为45°至90°的某一确定值,小球离开平台左侧后恰好做匀速圆周运动。MN边界左侧存在垂直纸面向里的匀强磁场B和沿竖直方向的匀强电场E2(图中未画出),磁感应强度B=1.0T。小球可视为质点,g=10m/s2。求:

    (1)、电场强度E2的大小和方向;
    (2)、小球离开平台左侧后在磁场中运动的最短时间;
    (3)、小球离开平台左侧后,小球落地点的范围(计算结果可以用根号表示)。
  • 10. 如图,初速度不计的电子经电压为U的电场加速后,沿OM方向垂直于磁场进入一个半径R= 1B2mU3e 的圆形匀强磁场区域(O为圆形磁场的中心,磁场方向垂直于圆而向外,磁感应强度大小为B)。电子穿出磁场后打在了与OM连线垂直的屏幕上的P点处,已知OM=L,电子的电荷量为e、质量为m,电子所受重力不计。试计算:

    (1)、电子经过加速电场后的速度大小v。
    (2)、P点与M点的距离d为多少?
  • 11. 如图,竖直平面xOy内,第一象限有水平向右(沿x轴正方向)的匀强电场,第三象限有竖直向上(沿y轴正方向)的匀强电场,场强大小均为E;悬点在A(0,L)、长为L的绝缘细线悬挂着质量为m的带电小球(可视为质点),小球静止时,细线与竖直方向的夹角为θ=37°。撤去第一象限的电场,小球自由下摆到O点时,细线恰好断裂,然后小球经第三象限的电场,落在地面上距O点水平距离为d的B点。重力加速度大小为g,sin37°=0.6,cos37°=0.8。求:

    (1)、小球的带电性质及电荷量q;
    (2)、小球运动到B点的速度大小。
  • 12. 跑道式回旋加速器的工作原理如图所示。两个匀强磁场区域Ⅰ、Ⅱ的边界平行,相距为L,磁感应强度大小相等、方向垂直纸面向里。P、Q之间存在匀强加速电场,电场强度为E,方向与磁场边界垂直。质量为m、电荷量为+q的粒子从P飘入电场,多次经过电场加速和磁场偏转后,从位于边界上的出射口K引出,引出时的动能为EK。已知K、Q的距离为d。

    (1)、求粒子出射前经过加速电场的次数N;
    (2)、求磁场的磁感应强度大小B;
    (3)、如果在Δt时间内有一束该种粒子从P点连续飘入电场,粒子在射出K之前都未相互碰撞,求Δt的范围。
  • 13. 如图所示虚线 MN 左侧有一场强为 E1=E 的匀强电场,在两条平行的虚线 MNPQ 之间存在着宽为L、电场强度为 E2=2E 的匀强电场,在虚线 PQ 右侧相距为L处有一个电场 E2 平行的屏。现将一电子(电荷量为e,质量为m)由A点无初速释放,A点到 MN 的距离为 12L ,最后电子打在右侧的屏上, AO 连线与屏垂直,垂足为O,求:

    (1)、电子刚进入 E2 区域时的速度;
    (2)、电子刚射出电场 E2 时的速度方向与 AO 连线夹角 θ 的正切值 tanθ
    (3)、电子打到屏上的点 P' 到点O的距离Y。
  • 14. 如图,M、N为水平放置的一对平行金属板间距为d,长 l=233d ,所加电压U=U0。金属板右侧有一以CD、EF两竖直线为边界的匀强磁场,磁感应强度为B,方向如图现有质量为m,带电量为q的负离子(重力不计)从静止开始经电场U0加速后,沿水平方向由金属板MN正中央射入,经电场、磁场后从边界EF水平射出。求:

    (1)、离子射入金属板MN时初速度的大小;
    (2)、离子离开金属板MN时速度的大小和方向;
    (3)、离子在磁场中运动的时间。